- 制造商编号：
- BAS21E6433HTMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
- 规格说明书：
- BAS21E6433HTMA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 40000 | ￥0.4679 | ￥18716.00 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 不适用于新设计 |
| 二极管类型: | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 200 V |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 250mA（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.25 V @ 200 mA |
| 速度: | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr): | 50 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 100 nA @ 200 V |
| 不同 Vr、F 时电容: | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装: | PG-SOT23 |
| 工作温度 - 结: | 150°C（最大） |
| 标准包装: | 10,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| BAS21-TP | Micro Commercial Co | ¥2.00000 | 类似 |
| BAS21LT3G | onsemi | ¥1.46000 | 类似 |
| BAS21LT1G | onsemi | ¥1.46000 | 类似 |
| BAS21,215 | Nexperia USA Inc. | ¥1.15000 | 类似 |
| BAS20,215 | Nexperia USA Inc. | ¥1.23000 | 类似 |
BAS21E6433HTMA1
型号：BAS21E6433HTMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
库存：0
单价：
| 40000+： | ￥0.4679 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00