- 制造商编号：
- IPW65R080CFDAFKSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
- 规格说明书：
- IPW65R080CFDAFKSA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥139.03218 | ￥139.03 |
| 10 | ￥127.744985 | ￥1277.45 |
| 100 | ￥110.318715 | ￥11031.87 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 43.3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 80 毫欧 @ 17.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.5V @ 1.76mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 161 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4440 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 391W（Tc） |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | PG-TO247-3 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 标准包装: | 30 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| TK35N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥57.52000 | 类似 |
| FCH47N60F-F133 | onsemi | ¥83.09000 | 类似 |
| STW48N60DM2 | STMicroelectronics | ¥85.79000 | 类似 |
IPW65R080CFDAFKSA1
型号：IPW65R080CFDAFKSA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥139.03218 |
| 10+： | ￥127.744985 |
| 100+： | ￥110.318715 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥139.03