货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥54.79307 | ¥54.79 |
10 | ¥49.230553 | ¥492.31 |
100 | ¥40.335428 | ¥4033.54 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | FDmesh™ II |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 17A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 220 毫欧 @ 8.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 60 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1800 pF @ 50 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 140W(Tc) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D2PAK |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 1,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
R6015ENJTL | Rohm Semiconductor | ¥27.95000 | 类似 |
AOB20S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥26.03000 | 类似 |
IPB60R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | ¥22.81000 | 类似 |
IPB60R299CPAATMA1 | Infineon Technologies | ¥30.64000 | 类似 |
STB21NM60ND
型号:STB21NM60ND
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
库存:0
单价:
1+: | ¥54.79307 |
10+: | ¥49.230553 |
100+: | ¥40.335428 |
500+: | ¥34.337188 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥54.79