货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥7.447708 | ¥7.45 |
10 | ¥6.521407 | ¥65.21 |
100 | ¥5.000533 | ¥500.05 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | CoolMOS™ P7 |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 700 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.5V @ 30µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 3.8 nC @ 400 V |
Vgs(最大值): | ±16V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 130 pF @ 400 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 17.6W(Tc) |
工作温度: | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | PG-TO251-3-347 |
封装/外壳: | TO-251-3 短截引线,IPak |
标准包装: | 75 |
IPSA70R2K0P7SAKMA1
型号:IPSA70R2K0P7SAKMA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3
库存:0
单价:
1+: | ¥7.447708 |
10+: | ¥6.521407 |
100+: | ¥5.000533 |
500+: | ¥3.953104 |
1000+: | ¥3.29425 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥7.45