- 制造商编号：
- IPW60R099CPFKSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
- 规格说明书：
- IPW60R099CPFKSA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥112.200536 | ￥112.20 |
| 10 | ￥101.38706 | ￥1013.87 |
| 100 | ￥83.940274 | ￥8394.03 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | CoolMOS™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 不适用于新设计 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 31A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 99 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V @ 1.2mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 80 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2800 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 255W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | PG-TO247-3-1 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 标准包装: | 30 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| AOK42S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥52.53000 | 类似 |
| IXKH35N60C5 | IXYS | ¥89.24000 | 类似 |
| APT30N60BC6 | Microchip Technology | ¥44.85000 | 类似 |
| FCH104N60 | Rochester Electronics, LLC | ¥15.42944 | 类似 |
| IXFR64N60Q3 | IXYS | ¥321.24000 | 类似 |
IPW60R099CPFKSA1
型号：IPW60R099CPFKSA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥112.200536 |
| 10+： | ￥101.38706 |
| 100+： | ￥83.940274 |
| 500+： | ￥78.596003 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥112.20