- 制造商编号：
- SQJ168ELP-T1_GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 描述：
- AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
- 规格说明书：
- SQJ168ELP-T1_GE3说明书
库存 ：2794
货期： 国内（1~2天）
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.05881 | ￥8.06 |
| 10 | ￥7.099048 | ￥70.99 |
| 100 | ￥5.439526 | ￥543.95 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 封装/外壳: | PowerPAK® SO-8 |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 24A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 36 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 20 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 987 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 29.4W（Tc） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装: | 3,000 |
SQJ168ELP-T1_GE3
型号：SQJ168ELP-T1_GE3
品牌：Vishay威世
描述：AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
库存：2794
单价：
| 1+： | ￥8.05881 |
| 10+： | ￥7.099048 |
| 100+： | ￥5.439526 |
| 500+： | ￥4.30035 |
| 1000+： | ￥3.440303 |
| 3000+： | ￥3.225279 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.06