IPG20N06S4L26AATMA1

制造商编号:
IPG20N06S4L26AATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
规格说明书:
IPG20N06S4L26AATMA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 12.794144 12.79
10 11.401584 114.02
100 8.889132 888.91

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1430pF @ 25V
功率 - 最大值: 33W
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装,可润湿侧翼
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8-10
标准包装: 5,000

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IPG20N06S4L26AATMA1

型号:IPG20N06S4L26AATMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

库存:0

单价:

1+: ¥12.794144
10+: ¥11.401584
100+: ¥8.889132
500+: ¥7.343515
1000+: ¥6.441708
5000+: ¥6.441708

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