货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥222.001392 | ¥222.00 |
10 | ¥204.739867 | ¥2047.40 |
100 | ¥174.837753 | ¥17483.78 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | HiPerFET™, TrenchT2™ |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N 沟道(双)非对称型 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 75V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 120A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 5.8 毫欧 @ 100A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 178nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 10500pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 170W |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | ISOPLUSi5-Pak™ |
供应商器件封装: | ISOPLUS i4-PAC™ |
标准包装: | 25 |
FMM150-0075X2F
型号:FMM150-0075X2F
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC-5
库存:0
单价:
1+: | ¥222.001392 |
10+: | ¥204.739867 |
100+: | ¥174.837753 |
500+: | ¥158.73429 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥222.00