货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | STripFET™ III |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 22 毫欧 @ 4A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 10nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 857pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 2W |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SOIC |
标准包装: | 2,500 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
STS8DNF3LL | STMicroelectronics | ¥12.36000 | 类似 |
STS8DNH3LL
型号:STS8DNH3LL
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00