库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥172.267112 | ￥172.27 |
| 10 | ￥158.330324 | ￥1583.30 |
| 100 | ￥133.716456 | ￥13371.65 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 45A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 18V，20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 67毫欧 @ 20A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 73 nC @ 20 V |
| Vgs（最大值）: | +22V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1370 pF @ 400 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 208W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | H2PAK-7 |
| 封装/外壳: | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA |
| 标准包装: | 1,000 |
SCTH35N65G2V-7AG
型号：SCTH35N65G2V-7AG
品牌：ST意法半导体
描述：SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
库存：0
单价：
| 1+： | ￥172.267112 |
| 10+： | ￥158.330324 |
| 100+： | ￥133.716456 |
| 500+： | ￥130.509937 |
| 1000+： | ￥130.50995 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥172.27