货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥21.298705 | ¥21.30 |
10 | ¥19.125317 | ¥191.25 |
100 | ¥15.375974 | ¥1537.60 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | MDmesh™ II |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 360 毫欧 @ 5.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 30 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 790 pF @ 50 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 90W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | I2PAK |
封装/外壳: | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装: | 1,000 |
STI13NM60N
型号:STI13NM60N
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
库存:0
单价:
1+: | ¥21.298705 |
10+: | ¥19.125317 |
100+: | ¥15.375974 |
500+: | ¥12.633303 |
1000+: | ¥11.484802 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥21.30