货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥4.587987 | ¥4.59 |
10 | ¥3.933982 | ¥39.34 |
100 | ¥2.940912 | ¥294.09 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Toshiba(东芝) |
系列: | Automotive, AEC-Q101 |
封装/外壳: | 6-SMD,扁平引线 |
工作温度: | 150°C |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平栅极,1.2V 驱动 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 800mA(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 85 毫欧 @ 800mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 2nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 177pF @ 10V |
功率 - 最大值: | 500mW(Ta) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | UF6 |
标准包装: | 3,000 |
SSM6N62TU,LXHF
型号:SSM6N62TU,LXHF
品牌:Toshiba东芝
描述:SMOS LOW RON DUAL NCH ID:0.8A, V
库存:0
单价:
1+: | ¥4.587987 |
10+: | ¥3.933982 |
100+: | ¥2.940912 |
500+: | ¥2.310754 |
1000+: | ¥1.785573 |
3000+: | ¥1.628027 |
6000+: | ¥1.523 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.59