FDP8N50NZ

制造商编号:
FDP8N50NZ
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
规格说明书:
FDP8N50NZ说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 16.61125 16.61
10 14.858116 148.58
100 11.586222 1158.62

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: UniFET™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 850 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 735 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 130W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
AOT8N50 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥10.06000 类似
STP9NK50Z STMicroelectronics ¥22.19000 类似

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FDP8N50NZ

型号:FDP8N50NZ

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3

库存:0

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1+: ¥16.61125
10+: ¥14.858116
100+: ¥11.586222
500+: ¥9.571089
1000+: ¥8.014095

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