货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥8.320978 | ¥8.32 |
2500 | ¥3.538821 | ¥8847.05 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | Automotive, AEC-Q101 |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 80 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.7A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 16.5 毫欧 @ 12A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 34 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1949 pF @ 40 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.5W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SO |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装: | 2,500 |
DMT8012LSS-13
型号:DMT8012LSS-13
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET N-CH 80V 9.7A 8SO
库存:0
单价:
1+: | ¥8.320978 |
2500+: | ¥3.538821 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.32