S12JR

制造商编号:
S12JR
制造商:
GeneSiC基因半导体公司
描述:
DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
规格说明书:
S12JR说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1500 40.433323 60649.98

规格参数

属性 参数值
制造商: GeneSiC(基因半导体公司)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
二极管类型: 标准型,反极性
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 12A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 12 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 50 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 底座,接线柱安装
封装/外壳: DO-203AA,DO-4,接线柱
供应商器件封装: DO-4
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
标准包装: 250

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S12JR

型号:S12JR

品牌:GeneSiC基因半导体公司

描述:DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

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