VS-10ETF10S-M3

制造商编号:
VS-10ETF10S-M3
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
规格说明书:
VS-10ETF10S-M3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1000 9.339625 9339.63

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 10A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.33 V @ 10 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 310 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)
工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C
标准包装: 1,000

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VS-10ETF10S-M3

型号:VS-10ETF10S-M3

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK

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