- 制造商编号：
- RQ3E110AJTB
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
- 规格说明书：
- RQ3E110AJTB说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.041258 | ￥6.04 |
| 10 | ￥5.340244 | ￥53.40 |
| 100 | ￥4.092325 | ￥409.23 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11A（Ta），24A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 11.7mOhm @ 11A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 13.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1500 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2W（Ta） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-HSMT（3.2x3） |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 标准包装: | 3,000 |
RQ3E110AJTB
型号：RQ3E110AJTB
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
库存：0
单价：
| 1+： | ￥6.041258 |
| 10+： | ￥5.340244 |
| 100+： | ￥4.092325 |
| 500+： | ￥3.235379 |
| 1000+： | ￥2.588303 |
| 3000+： | ￥2.34565 |
| 6000+： | ￥2.205937 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.04