1N5237B A0G

制造商编号:
1N5237B A0G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
规格说明书:
1N5237B A0G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 带盒(TB)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 带盒(TB)
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 8.2 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 8 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA @ 6.5 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: 100°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装: DO-35
标准包装: 5,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BZX55B8V2-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥1.61000 类似
1N5237B TR PBFREE Central Semiconductor Corp ¥3.38000 升级
1N3155A Microchip Technology ¥116.43000 类似
BZX79C8V2 onsemi ¥1.69000 类似
1N5238B onsemi ¥1.23000 类似

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1N5237B A0G

型号:1N5237B A0G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35

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