货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥28.450906 | ¥28.45 |
10 | ¥25.561361 | ¥255.61 |
100 | ¥20.945041 | ¥2094.50 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ON(安森美) |
系列: | PowerTrench® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 75 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 19A(Ta),90A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4.5 毫欧 @ 80A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 138 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 6600 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 310W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D²PAK(TO-263) |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 800 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
STB140NF75T4 | STMicroelectronics | ¥33.64000 | 类似 |
IRF3808STRLPBF | Infineon Technologies | ¥26.96000 | 类似 |
PSMN008-75B,118 | Nexperia USA Inc. | ¥16.20000 | 类似 |
IPB054N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | ¥17.74000 | 类似 |
IPB80N08S207ATMA1 | Infineon Technologies | ¥33.18000 | 类似 |
FDB045AN08A0
型号:FDB045AN08A0
品牌:ON安森美
描述:MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
库存:0
单价:
1+: | ¥28.450906 |
10+: | ¥25.561361 |
100+: | ¥20.945041 |
800+: | ¥17.830477 |
1600+: | ¥17.088371 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥28.45