SQM50N04-4M1_GE3

制造商编号:
SQM50N04-4M1_GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 40V 50A TO263
规格说明书:
SQM50N04-4M1_GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 26.615731 26.62
10 23.881207 238.81
100 19.191595 1919.16

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.1 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 105 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6715 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 150W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263(D²Pak)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
NVB5404NT4G onsemi ¥13.12409 类似
BUK964R4-40B,118 Nexperia USA Inc. ¥21.12000 类似
STB120N4LF6 STMicroelectronics ¥18.74000 类似
STB170NF04 STMicroelectronics ¥24.12000 类似
IXTA160N04T2 IXYS ¥32.72000 类似

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SQM50N04-4M1_GE3

型号:SQM50N04-4M1_GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 40V 50A TO263

库存:0

单价:

1+: ¥26.615731
10+: ¥23.881207
100+: ¥19.191595
800+: ¥15.76806

货期:1-2天

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