FQD6N25TM

制造商编号:
FQD6N25TM
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
规格说明书:
FQD6N25TM说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 7.443286 7.44
10 6.547356 65.47
100 5.021083 502.11

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: QFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1 欧姆 @ 2.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 300 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),45W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRFR224TRPBF Vishay Siliconix ¥13.67000 类似
IRFR224PBF Vishay Siliconix ¥13.06000 类似

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FQD6N25TM

型号:FQD6N25TM

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK

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1+: ¥7.443286
10+: ¥6.547356
100+: ¥5.021083
500+: ¥3.969107
1000+: ¥3.175331
2500+: ¥3.157253

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