JANTX2N6796

制造商编号:
JANTX2N6796
制造商:
Microsemi美高森美
描述:
MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF
规格说明书:
JANTX2N6796说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: Microsemi(美高森美)
系列: Military, MIL-PRF-19500/557
包装: 散装
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 195 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28.51 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 800mW(Ta),25W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-205AF(TO-39)
封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐
标准包装: 1

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JANTX2N6796

型号:JANTX2N6796

品牌:Microsemi美高森美

描述:MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF

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