库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | GeneSiC(基因半导体公司) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | - |
| 技术: | SiC（碳化硅结晶体管） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4A（Tc）（165°C） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 415 毫欧 @ 4A |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| Vgs（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 324 pF @ 35 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 125W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 225°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-276 |
| 封装/外壳: | TO-276AA |
| 标准包装: | 10 |
2N7636-GA
型号：2N7636-GA
品牌：GeneSiC基因半导体公司
描述：TRANS SJT 650V 4A TO276
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货期：1-2天
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