库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥852.880734 | ￥852.88 |
| 10 | ￥808.848489 | ￥8088.48 |
| 100 | ￥778.632552 | ￥77863.26 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 在售 |
| 二极管类型: | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 4800 V |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 10.2A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 4.8 V @ 30 A |
| 速度: | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 2 mA @ 4800 V |
| 不同 Vr、F 时电容: | - |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | UGE |
| 供应商器件封装: | UGE |
| 标准包装: | 6 |
UGE0221AY4
型号：UGE0221AY4
品牌：IXYS艾赛斯
描述：DIODE GEN PURP 4.8KV 10.2A UGE
库存：0
单价：
| 1+： | ￥852.880734 |
| 10+： | ￥808.848489 |
| 100+： | ￥778.632552 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥852.88