2SK545-11D-TB-E

制造商编号:
2SK545-11D-TB-E
制造商:
ON安森美
描述:
JFET N-CH 1MA 125MW CP
规格说明书:
2SK545-11D-TB-E说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
漏源电压(Vdss): 40 V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 60 µA @ 10 V
漏极电流 (Id) - 最大值: 1 mA
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 1.5 V @ 1 µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1.7pF @ 10V
功率 - 最大值: 125 mW
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SMCP
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
MMBF4093 onsemi ¥4.38000 类似
MMBF4117 onsemi ¥4.38000 类似
BSR57 onsemi ¥3.23000 类似

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2SK545-11D-TB-E

型号:2SK545-11D-TB-E

品牌:ON安森美

描述:JFET N-CH 1MA 125MW CP

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