- 制造商编号：
- BSD314SPEH6327XTSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
- 规格说明书：
- BSD314SPEH6327XTSA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.246967 | ￥5.25 |
| 10 | ￥3.981229 | ￥39.81 |
| 100 | ￥2.481616 | ￥248.16 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | OptiMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 140 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V @ 6.3µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 2.9 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 294 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 500mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-SOT363-6 |
| 封装/外壳: | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装: | 3,000 |
BSD314SPEH6327XTSA1
型号：BSD314SPEH6327XTSA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
库存：0
单价：
| 1+： | ￥5.246967 |
| 10+： | ￥3.981229 |
| 100+： | ￥2.481616 |
| 500+： | ￥1.698102 |
| 1000+： | ￥1.306234 |
| 3000+： | ￥1.175606 |
| 6000+： | ￥1.110305 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.25