APT60N60SCSG/TR

制造商编号:
APT60N60SCSG/TR
制造商:
Microchip微芯
描述:
MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
规格说明书:
APT60N60SCSG/TR说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
400 195.792981 78317.19

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: CoolMOS™
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 @ 44A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 190 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7200 pF @ 25 V
FET 功能: 超级结
功率耗散(最大值): 431W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D3Pak
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 400

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APT60N60SCSG/TR

型号:APT60N60SCSG/TR

品牌:Microchip微芯

描述:MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

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