PSMN3R9-100YSFX

制造商编号:
PSMN3R9-100YSFX
制造商:
Nexperia安世
描述:
MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56
规格说明书:
PSMN3R9-100YSFX说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 29.318358 29.32
10 26.364142 263.64
100 21.189166 2118.92

规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 7V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.3 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 111 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7360 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 245W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK56; Power-SO8
封装/外壳: SOT-1023,4-LFPAK
标准包装: 1,500

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PSMN3R9-100YSFX

型号:PSMN3R9-100YSFX

品牌:Nexperia安世

描述:MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56

库存:0

单价:

1+: ¥29.318358
10+: ¥26.364142
100+: ¥21.189166
500+: ¥17.40854
1500+: ¥14.921639

货期:1-2天

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