IS43DR16640B-25DBLI

制造商编号:
IS43DR16640B-25DBLI
制造商:
ISSI芯成
描述:
IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA
规格说明书:
IS43DR16640B-25DBLI说明书

库存 :67

货期: 国内(1~2天)

封装: 托盘

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 99.12042 99.12
10 91.221373 912.21
25 89.320778 2233.02

规格参数

属性 参数值
制造商: ISSI(芯成)
系列: -
包装: 托盘
零件状态: 不适用于新设计
存储器类型: 易失
存储器格式: DRAM
技术: SDRAM - DDR2
存储容量: 1Gb(64M x 16)
存储器接口: 并联
时钟频率: 400 MHz
写周期时间 - 字,页: 15ns
访问时间: 400 ps
电压 - 供电: 1.7V ~ 1.9V
工作温度: -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 84-TFBGA
供应商器件封装: 84-TWBGA(8x12.5)
标准包装: 209

文档与视频信息

属性 属性值
规格书 DRAM Part Number Guide
HTML 规格书 IS4xDR81280B(L), IS4xDR16640B(L)

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IS43DR16640B-25DBLI

型号:IS43DR16640B-25DBLI

品牌:ISSI芯成

描述:IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

库存:67

单价:

1+: ¥99.12042
10+: ¥91.221373
25+: ¥89.320778
40+: ¥89.012549
209+: ¥79.87058
418+: ¥77.456416
627+: ¥73.655573
1045+: ¥71.08732

货期:1-2天

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