货期: 国内(1~2天)
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥27.975533 | ¥27.98 |
10 | ¥25.122028 | ¥251.22 |
25 | ¥23.753092 | ¥593.83 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | TI(德州仪器) |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
驱动配置: | 半桥 |
通道类型: | 独立式 |
驱动器数: | 2 |
栅极类型: | N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电: | 8V ~ 17V |
逻辑电压 - VIL,VIH: | 0.8V,2.5V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出): | 3A,3A |
输入类型: | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举): | 120 V |
上升/下降时间(典型值): | 8ns,7ns |
工作温度: | -40°C ~ 140°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SOIC |
标准包装: | 75 |
属性 | 属性值 |
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规格书 | UCC27200/01 |
特色产品 | Power Management |
PCN 设计/规格 | Mult Devices Font 21/Apr/2018 |
PCN 组装/来源 | Wire Base Metal 21/May/2019 |
HTML 规格书 | UCC27200/01 |
EDA 模型 | UCC27201D by SnapEDA |
UCC27201D
型号:UCC27201D
品牌:TI德州仪器
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
库存:22700
单价:
1+: | ¥27.975533 |
10+: | ¥25.122028 |
25+: | ¥23.753092 |
100+: | ¥20.585765 |
250+: | ¥19.529856 |
500+: | ¥17.524072 |
1000+: | ¥17.428483 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥27.98