BSH201,215

制造商编号:
BSH201,215
制造商:
Nexperia安世
描述:
MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB
规格说明书:
BSH201,215说明书

库存 :1661

货期: 国内(1~2天)

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.302015 4.30
10 3.50378 35.04
100 2.383267 238.33

规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 欧姆 @ 160mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 1mA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70 pF @ 48 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 417mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-236AB
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RSE002P03TL Rohm Semiconductor ¥4.07000 类似
RSU002P03T106 Rohm Semiconductor ¥3.15000 类似

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BSH201,215

型号:BSH201,215

品牌:Nexperia安世

描述:MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB

库存:1661

单价:

1+: ¥4.302015
10+: ¥3.50378
100+: ¥2.383267
500+: ¥1.787301
1000+: ¥1.340426
3000+: ¥1.228735
6000+: ¥1.154283

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥4.30