MMBTH10-7-F

制造商编号:
MMBTH10-7-F
制造商:
Diodes美台
描述:
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
规格说明书:
MMBTH10-7-F说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 2.27972 2.28
10 1.881909 18.82
25 1.575742 39.39

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿(最大值): 25V
频率 - 跃迁: 650MHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -
增益: -
功率 - 最大值: 300mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 60 @ 4mA,10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50mA
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies ¥3.84000 类似
KST10MTF onsemi ¥1.77000 类似
BFP540ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies ¥4.99000 类似
MMBTH10LT1G onsemi ¥2.15000 直接
MMBTH10-4LT1G onsemi ¥1.92000 类似

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MMBTH10-7-F

型号:MMBTH10-7-F

品牌:Diodes美台

描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

库存:0

单价:

1+: ¥2.27972
10+: ¥1.881909
25+: ¥1.575742
100+: ¥0.997947
250+: ¥0.770363
500+: ¥0.656559
1000+: ¥0.44646
3000+: ¥0.40269
6000+: ¥0.350165
15000+: ¥0.29764
30000+: ¥0.280132
75000+: ¥0.262624

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥2.28