IRD3CH9DB6

制造商编号:
IRD3CH9DB6
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE
规格说明书:
IRD3CH9DB6说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V
电流 - 平均整流 (Io): 10A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.7 V @ 10 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 154 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 模具
供应商器件封装: 模具
工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C
标准包装: 1

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IRD3CH9DB6

型号:IRD3CH9DB6

品牌:Infineon英飞凌

描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE

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