- 制造商编号：
- SQ1563AEH-T1_GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 描述：
- MOSFET N/P-CH 20V POWERPAKSC70-6
- 规格说明书：
- SQ1563AEH-T1_GE3说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.060463 | ￥5.06 |
| 10 | ￥4.354236 | ￥43.54 |
| 25 | ￥4.063788 | ￥101.59 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | TrenchFET® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 850mA（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 280 毫欧 @ 850mA，4.5V，575 毫欧 @ 800mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 1.25nC @ 4.5V，1.33nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 89pF @ 10V，84pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 1.5W |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | PowerPAK® SC-70-6 双 |
| 供应商器件封装: | PowerPAK® SC-70-6 双 |
| 标准包装: | 3,000 |
SQ1563AEH-T1_GE3
型号：SQ1563AEH-T1_GE3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET N/P-CH 20V POWERPAKSC70-6
库存：0
单价：
| 1+： | ￥5.060463 |
| 10+： | ￥4.354236 |
| 25+： | ￥4.063788 |
| 100+： | ￥3.250384 |
| 250+： | ￥3.018473 |
| 500+： | ￥2.554054 |
| 1000+： | ￥1.973593 |
| 3000+： | ￥1.807095 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.06