US1G R3G

制造商编号:
US1G R3G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
规格说明书:
US1G R3G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 5.445904 5.45
10 4.668806 46.69
100 3.485378 348.54

规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: Digi-Key 停止提供
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商器件封装: DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 1,800

客服

购物车

US1G R3G

型号:US1G R3G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

库存:0

单价:

1+: ¥5.445904
10+: ¥4.668806
100+: ¥3.485378
500+: ¥2.738245
1800+: ¥2.115982
3600+: ¥1.92928
5400+: ¥1.80482
12600+: ¥1.697319

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥5.45