GA10JT12-263

制造商编号:
GA10JT12-263
制造商:
GeneSiC基因半导体公司
描述:
TRANS SJT 1200V 25A
规格说明书:
GA10JT12-263说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 198.041903 198.04
10 182.043628 1820.44
100 153.742088 15374.21

规格参数

属性 参数值
制造商: GeneSiC(基因半导体公司)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: -
技术: SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss): 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 120 毫欧 @ 10A
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
Vgs(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1403 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 170W(Tc)
工作温度: 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: -
封装/外壳: -
标准包装: 50

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GA10JT12-263

型号:GA10JT12-263

品牌:GeneSiC基因半导体公司

描述:TRANS SJT 1200V 25A

库存:0

单价:

1+: ¥198.041903
10+: ¥182.043628
100+: ¥153.742088
500+: ¥136.764819

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