APT45GR65SSCD10

制造商编号:
APT45GR65SSCD10
制造商:
Microsemi美高森美
描述:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
规格说明书:
APT45GR65SSCD10说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: Microsemi(美高森美)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 停产
IGBT 类型: NPT
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 118 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 224 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.4V @ 15V,45A
功率 - 最大值: 543 W
输入类型: 标准
栅极电荷: 203 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 15ns/100ns
测试条件: 433V,45A,4.3 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 80 ns
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: D3Pak
标准包装: 1

客服

购物车

APT45GR65SSCD10

型号:APT45GR65SSCD10

品牌:Microsemi美高森美

描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

库存:0

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00