货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥6.30382 | ¥6.30 |
10 | ¥5.43347 | ¥54.33 |
100 | ¥4.058193 | ¥405.82 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ON(安森美) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 25V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 680mA,460mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 450 毫欧 @ 500mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 2.3nC @ 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 50pF @ 10V |
功率 - 最大值: | 700mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商器件封装: | SuperSOT™-6 |
标准包装: | 3,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
NTHC5513T1G | onsemi | ¥10.60000 | 类似 |
FDC6321C
型号:FDC6321C
品牌:ON安森美
描述:MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
库存:0
单价:
1+: | ¥6.30382 |
10+: | ¥5.43347 |
100+: | ¥4.058193 |
500+: | ¥3.188838 |
1000+: | ¥2.464097 |
3000+: | ¥2.30598 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.30