FDC6321C

制造商编号:
FDC6321C
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
规格说明书:
FDC6321C说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 6.30382 6.30
10 5.43347 54.33
100 4.058193 405.82

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 680mA,460mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.3nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF @ 10V
功率 - 最大值: 700mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装: SuperSOT™-6
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
NTHC5513T1G onsemi ¥10.60000 类似

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FDC6321C

型号:FDC6321C

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6

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10+: ¥5.43347
100+: ¥4.058193
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