NTBG020N120SC1

制造商编号:
NTBG020N120SC1
制造商:
ON安森美
描述:
SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
规格说明书:
NTBG020N120SC1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 479.910935 479.91
10 447.77886 4477.79
100 442.666922 44266.69

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.6A(Ta),98A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 28毫欧 @ 60A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.3V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 220 nC @ 20 V
Vgs(最大值): +25V,-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2943 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.7W(Ta),468W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK-7
封装/外壳: TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
标准包装: 800

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NTBG020N120SC1

型号:NTBG020N120SC1

品牌:ON安森美

描述:SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

库存:0

单价:

1+: ¥479.910935
10+: ¥447.77886
100+: ¥442.666922
800+: ¥442.66686

货期:1-2天

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