货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥45.357663 | ¥45.36 |
10 | ¥40.753512 | ¥407.54 |
100 | ¥33.389358 | ¥3338.94 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | STripFET™ F7 |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 180A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2.5 毫欧 @ 60A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 160 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 11550 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 300W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | H2PAK-6 |
封装/外壳: | TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片) |
标准包装: | 1,000 |
STH240N10F7-6
型号:STH240N10F7-6
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
库存:0
单价:
1+: | ¥45.357663 |
10+: | ¥40.753512 |
100+: | ¥33.389358 |
500+: | ¥28.423539 |
1000+: | ¥27.240572 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥45.36