货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | DeepGATE™, STripFET™ VI |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 75 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 180A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2.8 毫欧 @ 90A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 171 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 11800 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 300W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | H2Pak-2 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 1,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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IXFA270N06T3 | IXYS | ¥48.61000 | 类似 |
IPB90N06S4L04ATMA2 | Infineon Technologies | ¥22.12000 | 类似 |
DMTH6004SCTBQ-13 | Diodes Incorporated | ¥24.88000 | 类似 |
IRFS3107TRLPBF | Infineon Technologies | ¥44.47000 | 类似 |
STH210N75F6-2
型号:STH210N75F6-2
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00