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货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 13 | ￥312.036675 | ￥4056.48 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 6 N-沟道（3 相桥） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 75V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 255A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.3 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.8V @ 275µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 155nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 14400pF @ 38V |
| 功率 - 最大值: | - |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | ISOPLUS-DIL™ |
| 供应商器件封装: | ISOPLUS-DIL™ |
| 标准包装: | 13 |
MTI200WX75GD-SMD
型号：MTI200WX75GD-SMD
品牌：IXYS艾赛斯
描述：IGBT MOD MOSFET SIXPACK ISOPLUS
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| 13+： | ￥312.036675 |
货期：1-2天
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