MTI200WX75GD-SMD

制造商编号:
MTI200WX75GD-SMD
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
IGBT MOD MOSFET SIXPACK ISOPLUS
规格说明书:
MTI200WX75GD-SMD说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
13 340.368979 4424.80

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: 6 N-沟道(3 相桥)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 75V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 255A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.3 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.8V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 155nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 14400pF @ 38V
功率 - 最大值: -
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: ISOPLUS-DIL™
供应商器件封装: ISOPLUS-DIL™
标准包装: 13

客服

购物车

MTI200WX75GD-SMD

型号:MTI200WX75GD-SMD

品牌:IXYS艾赛斯

描述:IGBT MOD MOSFET SIXPACK ISOPLUS

库存:0

单价:

13+: ¥340.368979

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00