STFH10N60M2

制造商编号:
STFH10N60M2
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
规格说明书:
STFH10N60M2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 16.524215 16.52
10 14.819572 148.20
100 11.910863 1191.09

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: MDmesh™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 400 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 25W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220FPAB
封装/外壳: TO-220-3 整包
标准包装: 46

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STFH10N60M2

型号:STFH10N60M2

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP

库存:0

单价:

1+: ¥16.524215
10+: ¥14.819572
100+: ¥11.910863
500+: ¥9.786115
1000+: ¥8.896381

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