ALD1105PBL

制造商编号:
ALD1105PBL
制造商:
Advanced Linear Devices
描述:
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
规格说明书:
ALD1105PBL说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 55.379121 55.38
10 49.747957 497.48
100 40.758734 4075.87

规格参数

属性 参数值
制造商: Advanced Linear Devices
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N 和 2 P 沟道(双)配对
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 10.6V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 500 欧姆 @ 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 1µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3pF @ 5V
功率 - 最大值: 500mW
工作温度: 0°C ~ 70°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: 14-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装: 14-PDIP
标准包装: 50

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ALD1105PBL

型号:ALD1105PBL

品牌:Advanced Linear Devices

描述:MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

库存:0

单价:

1+: ¥55.379121
10+: ¥49.747957
100+: ¥40.758734
500+: ¥34.696723
1000+: ¥29.262295
2000+: ¥28.502243

货期:1-2天

+ -

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