NTK3139PT1G

制造商编号:
NTK3139PT1G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
规格说明书:
NTK3139PT1G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.960994 4.96
10 3.771102 37.71
100 2.350815 235.08

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 660mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 480 毫欧 @ 780mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V @ 250µA
Vgs(最大值): ±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 170 pF @ 16 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 310mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-723
封装/外壳: SOT-723
标准包装: 4,000

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NTK3139PT1G

型号:NTK3139PT1G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723

库存:0

单价:

1+: ¥4.960994
10+: ¥3.771102
100+: ¥2.350815
500+: ¥1.608556
1000+: ¥1.237302
2000+: ¥1.113551
4000+: ¥1.113575
8000+: ¥1.051706

货期:1-2天

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