- 制造商编号：
- BSM600C12P3G201
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 描述：
- SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
- 规格说明书：
- BSM600C12P3G201说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 托盘
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11458.255902 | ￥11458.26 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 托盘 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss）: | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 600A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5.6V @ 182mA |
| Vgs（最大值）: | +22V，-4V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 28000 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2460W（Tc） |
| 工作温度: | 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 供应商器件封装: | 模块 |
| 封装/外壳: | 模块 |
| 标准包装: | 4 |
BSM600C12P3G201
型号：BSM600C12P3G201
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
库存：0
单价：
| 1+： | ￥11458.255902 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11458.26