货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥4.587987 | ¥4.59 |
10 | ¥3.427935 | ¥34.28 |
100 | ¥1.941253 | ¥194.13 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | SIPMOS® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 280mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 3.5 欧姆 @ 200mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.4V @ 26µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 1.5 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 43 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 500mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-323 |
封装/外壳: | SC-70,SOT-323 |
标准包装: | 3,000 |
BSS138WH6327XTSA1
型号:BSS138WH6327XTSA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
库存:0
单价:
1+: | ¥4.587987 |
10+: | ¥3.427935 |
100+: | ¥1.941253 |
500+: | ¥1.285656 |
1000+: | ¥0.985634 |
3000+: | ¥0.857108 |
6000+: | ¥0.771391 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.59