SIHFL9014TR-GE3

制造商编号:
SIHFL9014TR-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
规格说明书:
SIHFL9014TR-GE3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
2500 3.151139 7877.85

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 500 毫欧 @ 1.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 270 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2W(Ta),3.1W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
标准包装: 2,500

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SIHFL9014TR-GE3

型号:SIHFL9014TR-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223

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