库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥29.790834 | ￥29.79 |
| 10 | ￥26.735906 | ￥267.36 |
| 100 | ￥21.905339 | ￥2190.53 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | SuperFET® II |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 20.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 199 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 74 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2950 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 208W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | Power88 |
| 封装/外壳: | 4-PowerTSFN |
| 标准包装: | 3,000 |
FCMT199N60
型号：FCMT199N60
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
库存：0
单价：
| 1+： | ￥29.790834 |
| 10+： | ￥26.735906 |
| 100+： | ￥21.905339 |
| 500+： | ￥18.647371 |
| 1000+： | ￥17.871255 |
| 3000+： | ￥17.871317 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥29.79