SI7415DN-T1-GE3

制造商编号:
SI7415DN-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
规格说明书:
SI7415DN-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 16.039305 16.04
10 14.37072 143.71
100 11.548921 1154.89

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 65 毫欧 @ 5.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.5W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8
封装/外壳: PowerPAK® 1212-8
标准包装: 3,000

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SI7415DN-T1-GE3

型号:SI7415DN-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8

库存:0

单价:

1+: ¥16.039305
10+: ¥14.37072
100+: ¥11.548921
500+: ¥9.488206
1000+: ¥8.132786
3000+: ¥8.132786

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